Magnetic properties of donor impurity in GaAs semiconductor quantum pseudo-dot system

dc.contributor.authorRehan, Hanaa
dc.date.accessioned2022-09-28T05:29:09Z
dc.date.available2022-09-28T05:29:09Z
dc.date.issued2019-03-31
dc.description.abstractتم دراسة الخواص المغناطيسية مثل التمغنط والقابلية المغناطيسية لشائبة مانحة في نقطة كمية شبه موصل بوجود المجالات المغناطيسية والكهربائية, باستخدام طريقة مفكوك N / 1 تم حل دالة هاملتون لحساب الطاقة لعدة مستويات بدلالة متغيرات فيزيائية. أظهرت نتائج حساب الطاقة لشائبة مانحة في نقطة كمية شبه موصل توافقا جيدا مقارنة بنتائج مماثلة منشورة. والمتغيرات فيزيائية هي: وجود الشوائب، شدة المجالين المغناطيسي والكهربائي, وقوة حصر الالكترون. تأثير المتغيرات الفيزيائية بدا واضحاً على كل من: طاقة الربط ومعدل الطاقة وعلى الخواص المغناطيسية التمغنط والقابلية المغناطيسية, حيث تظهر منحنيات هذه الخواص سلوكا متذبذبا يعزى إلى تقاطع مستوى الطاقة.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.11888/17725
dc.publisherِAn-Najah National Universityen_US
dc.subjectMagnetic properties of donor impurity in GaAs semiconductor quantum pseudo-dot systemen_US
dc.supervisorProf. Mohammad Elsaiden_US
dc.titleMagnetic properties of donor impurity in GaAs semiconductor quantum pseudo-dot systemen_US
dc.typeThesisen_US
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
الرسالة.pdf
Size:
1.5 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Collections