Effects of the hydrostatic pressure and temperature on the properties of the (GaAs) single quantum dot in a magnetic field
Loading...
Date
2016
Authors
Faten Maher Bzour
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
In the present work, we had calculated the energy levels of GaAs parabolic quantum dot under the combined effects of external pressure, temperature and magnetic field. The eigenenergies had been obtained by solving the two electron quantum dot Hamiltonian using the exact diagonalization method. The obtained results show that the energy levels of the quantum dot depend strongly on the pressure and temperature. We had found that the energy levels increase as the pressure enhances for fixed temperature and magnetic field and the quantum dot energy levels decrease as the temperature increases for fixed pressure and magnetic field. We had also computed the singlet-triplet phase diagram of the quantum dot. In addition, we had investigated the effect of the pressure on the magnetic field dependent exchange energy of the quantum dot. Finally, a comparative study to correlate the current foundations to previous works was carried out. .
في هذا العمل تم حساب طاقة المستويات لنقطة كمية من (GaAs) تحت تأثير الضغط الخارجي ودرجة الحرارة والمجال المغناطيسي. تم الحصول على القيم المميزة من خلال حل دالة هاملتون لزوج من الالكترونات في نقطة كمية باستخدام طريقة القطر.(Diagonalization) اظهرت النتائج المحسوبة في هذا العمل ان طاقة المستويات للنقطة الكمية تعتمد بشدة على الضغط ودرجة الحرارة. وقد وجدنا أن طاقة المستويات تزداد بزيادة الضغط عند ثبات درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وأن طاقة المستويات تقل بزيادة درجة الحرارة وثبات الضغط والمجال المغناطيسي . وقد قمنا أيضا بحساب منحنى الطور الأحادي-الثلاثي للنقطة الكمية. بالاضافة إلى ذلك, قمنا بالتحقق من تأثير الضغط على طاقة الصرف(exchange energy) لنقطة كمية في مجال مغناطيسي. وتظهر المقارنة أن نتائجنا على اتفاق جيدجدا مع النتائج المنشورة.
في هذا العمل تم حساب طاقة المستويات لنقطة كمية من (GaAs) تحت تأثير الضغط الخارجي ودرجة الحرارة والمجال المغناطيسي. تم الحصول على القيم المميزة من خلال حل دالة هاملتون لزوج من الالكترونات في نقطة كمية باستخدام طريقة القطر.(Diagonalization) اظهرت النتائج المحسوبة في هذا العمل ان طاقة المستويات للنقطة الكمية تعتمد بشدة على الضغط ودرجة الحرارة. وقد وجدنا أن طاقة المستويات تزداد بزيادة الضغط عند ثبات درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وأن طاقة المستويات تقل بزيادة درجة الحرارة وثبات الضغط والمجال المغناطيسي . وقد قمنا أيضا بحساب منحنى الطور الأحادي-الثلاثي للنقطة الكمية. بالاضافة إلى ذلك, قمنا بالتحقق من تأثير الضغط على طاقة الصرف(exchange energy) لنقطة كمية في مجال مغناطيسي. وتظهر المقارنة أن نتائجنا على اتفاق جيدجدا مع النتائج المنشورة.